​脉冲激光分子束沉积系统

脉冲激光分子束沉积系统是高能脉冲(100ns) 电子束( 约1000 A,15 keV) 在靶材上穿透将近1 um，使靶材快速蒸发形成等离子体。对靶材的非平衡提取（烧灼）使等离子体的组成与靶材的化学计量组成一致。在条件下，靶材的化学计量与沉积薄膜的保持一致。所有的固态材料如金属、半导体和绝缘体等都可以用PED 技术沉积各自的薄膜。

• 独立的交钥匙脉冲电子束沉积系统PED

• 外延薄膜沉积，多层异质结构（heterostructures）与超晶格

• 氧化物薄膜沉积时氧气兼容

• 升级选项：离子辅助PED, 连续组份沉积PED, 进样系统load-lock

• 可附加的沉积源：脉冲激光与射频/ 直流溅射

• 集成XPS/ARPES UHV 集群系统，原位高真空基片传送系统