从生长过程看，MBE有三个基本区域：分子束产生区、各分子束交叉混合区、反应和晶化过程区。从源射出的分子束撞击衬底表面被吸附RHEED是重要的设备。高能电子枪发射电子束以1-3度掠射到基片表面。被吸附的分子（原子）在表面迁移、分解这时候我们可以经过表面晶格衍射在荧光屏上产生的衍射条纹直接反映薄膜的结晶性和表面形貌，衍射强度随表面的粗糙度发生变化。振荡反映了薄膜的层状外延生长和外延生长的单胞层数。原子进入晶格位置发生外延生长可在原子尺度范围内地控制外延层的厚度、界面平整度和掺杂分布，结合掩膜技术，可以制备具有二维和三维结构的薄膜。可随意改变外延层的组分和掺杂。未进入晶格的分子因热脱附而离开表面?在蒸鍍的過程中CHAMBER的真空度維持在10-6torr，稍後由於CHAMBER內各種材料的釋氣，真空度會被降低，所以必須不斷地抽氣，以維持想要的真空度，如此鍍出來的膜才會純。产品规格：真空抽气经烘烤后可达到优于1E-10Torr。多材料共蒸镀的腔体设计。样品可升温至800°C，具旋转功能。多种外延用蒸发源可供选择。可配备进样室，减少污染，样品座可容纳至少2个样品，减少真空腔体开关次数。配备符合超高真空需求的磁性样品传送杆。
多种蒸镀材料或反应性镀膜技术：各种容量的蒸发源系统配备石英膜厚计,协助镀膜监控，为什么要超高真空
1、避免源炉喷射出的原子在到达衬底之前与环境中的残余气体碰撞而受到污染?气体分子密度n(cm-3)与真空度p(torr)的关系：
分子的平均自由程：
2、避免环境中的残余气体分子与外延表面碰撞而使外延面受到污染?单位时间、单位面积表面被气体分子碰撞次数：
分子热运动平均速度：真空技术主要包括：真空的获得、真空的测量、真空检漏
