MBE技术是在超高真空条件下，用其组元的分子（或原子）束喷射到衬底上生长外延薄层的技术。
现代MBE生长系统的背景真空度可达 1.33×10-10Pa，分子束与分子束以及分子束与背景分子之间不发生碰撞。
MBE技术的关键
III,V族元素分别加热到温度Ti,Tj形成的束 引入到温度为Ts的衬底上生长薄膜，要仔细 选择Ts，使多余的V族元素从衬底表面蒸发以生长化学配比材料合适的生长温度使吸附的原子有足够的能量 迁移到合适的平衡位置进行外延生长
温度太低：可能生长出多晶或非晶
温度过高：会使吸附的原子再次蒸发而脱附
MBE设备
真空系统、生长系统、监控系统
生长系统：进样室、预处理室（衬底存储室）、生长室
监控系统：
四极质谱仪：真空度检测，监测残余气体和分子束流的成分
电离计：测量分子束流量
电子衍射仪：观察晶体表面结构以及生长表面光洁平整度
俄歇谱仪：检测表面成分、化学计量比和表面沾污等
