检测仪器及其配件

MBE系统
  • 产品名称:MBE系统
  • 产品描述:底法兰采取一体成型工艺,保证源和基底的精度,蒸发源位置对准精度 <0.5mm,样品最高温度可达1600℃
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产品详情

MBE是一种在高真空或超高真空环境下,将从蒸发源释放出分子或原子,在目标样品表面形成高纯度薄膜的薄膜制备技术。  
MBE可在原子尺度上精确控制薄膜厚度和薄膜纯度,广泛应用于:金属、半导体、化合物、有机物薄膜制备、分子自组装等方面。  
亮点:  
☆底法兰采取一体成型工艺,保证源和基底的精度,蒸发源位置对准精度 <0.5mm  
☆特殊的样品加热设计,样品最高温度可达1600℃  
☆分子泵,离子泵和钛泵泵组合设计,保证极低的本底真空  
☆国际联合设计、本土化总装,方便满足定制需求、快速交货和技术的 技术服务。  
技术参数:  

本底真空<1 x 10-10 mbar
漏率<10-12 mbar·L·s-1
冷井冷却方式水冷或液氮冷却
烘烤温度150℃
样品温度室温至1600℃(选配制冷模块可达-120℃至1600℃)
样品尺寸多种样品架可供选择,可根据用户需要单独定制
蒸发源数目3 - 6个,或者根据用户需要定制
蒸发源定位精度一体成型工艺,<0.5 mm
抽气系统分子泵,离子泵和钛泵
真空规安捷伦UHV-24离子规(或选配其他型号真空规)
四轴样品台参数X/Y方向:±10 mm,Z方向:100 mm,θ:±180°
可选程序控制模块整体通过程序自动控制所有蒸发源
     配方与数据采用数据库管理,可导入导出
     用户实现2-3级管理

本底真空    <1x10-10mbar  
漏率    <10-12mbar·L·s-1  
冷井冷却方式    水冷或液氮冷却  
烘烤温度    150℃  
样品温度    室温至1600℃(选配制冷模块可达-120℃至1600℃)  
样品尺寸    多种样品架可供选择,可根据用户需要单独定制  
蒸发源数目    3-6个,或者根据用户需要定制  
蒸发源定位精度    一体成型工艺,<0.5mm  
抽气系统    分子泵,离子泵和钛泵  
真空规    安捷伦UHV-24离子规(或选配其他型号真空规)  
四轴样品台参数    X/Y方向:±10mm,Z方向:100mm,θ:±180°  
可选程序控制模块    整体通过程序自动控制所有蒸发源  
配方与数据采用数据库管理,可导入导出  
用户实现2-3级管理  
可定制部分:  
根据客户需求定制真空腔体、样品传送系统等。  
可选配部件:  
反射式高能电子衍射仪(RHEED)、低能电子衍射仪(LEED)、俄歇电子能  
谱仪(AES)、红外(比色)测温仪、各种蒸发源、坩埚、程序控制模块、膜厚仪、质谱仪等