检测仪器及其配件

冷壁CVD生长设备
  • 产品名称:冷壁CVD生长设备
  • 产品描述:背景气压低,杂质气体干扰少;参数控制性好,实验重现性高,可扩展性强,能耗低,产量高
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产品详情

冷壁CVD生长设备是常州国成新材料科技有限公司针对现有石英管式炉CVD生长设备功耗大、控制性差、产量低等缺点开发出来的一款新型CVD生长设备。该设备不仅可以用于石墨烯生长,还可六角氮化硼等二维材料薄膜、MBE薄膜及复合薄膜生长。  
亮点:  
☆背景气压低,杂质气体干扰少。  
☆参数控制性好,实验重现性高。  
☆可扩展性强,可以定制原位金属电极蒸镀参杂等功能。  
☆能耗低。  
☆产量高,适用于工业化生产(大型冷壁CVD)。  
技术参数:  

 小型冷壁CVD中型冷壁CVD大型冷壁CVD
本底真空5 x 10-7 mbar5 x 10-7 mbar5 x 10-6 mbar
样品尺寸1 cm × 1 cm10 cm × 10 cm40 cm × 320 cm
外漏率<10-12mbar•l•s-1<10-12mbar•l•s-1<10-10mbar•l•s-1
内漏率<10-11mbar•l•s-1<10-11mbar•l•s-1<10-10mbar•l•s-1
温度范围室温~1100℃室温~1100℃室温~1100℃
样品温度均匀性1000℃时温差在10℃以内1000℃时温差在3℃以内1000℃时温差在20℃以内
最快降温速度5秒从1000℃降到800℃5秒从1000℃降到800℃240秒从1000℃降到800℃
温度控制可选PID程序控制可选PID程序控制可选PID程序控制
进气控制微漏阀或者程序控制微漏阀或者程序控制微漏阀或者程序控制