冷壁CVD生长设备是常州国成新材料科技有限公司针对现有石英管式炉CVD生长设备功耗大、控制性差、产量低等缺点开发出来的一款新型CVD生长设备。该设备不仅可以用于石墨烯生长，还可用于六角氮化硼等二维材料薄膜、MBE薄膜及复合薄膜生长。

同时该设备也适合用于材料在高真空中的退火，加热温度~1000°C。

● 程序控制， 实验重复性高

● 背景气压低，杂质气体干扰少

● 快速降温机构，样品温度5秒从1000 C降到800 C

● 可扩展性强，可在设备技术.上添加特有功能，如原位金属电极蒸镀、掺杂等

● 能耗低、产量高、成本低，适用于工业化生产(大型冷壁CVD )

△ 可定制功能：

● 添加热蒸镀、热处理、金属掺杂等功能

● 其他分析设备的互联，如角分辨光电子能谱、低能电子衍射、俄歇电子谱、X射线光电子能谱等

● 传样机构

化学气相沉积/真空退火（CVD/Vacuum annealing）